據悉，近日由沈陽市科技局成果處主持，在沈陽儀表科學院召開了三項科研項目的科技成果鑒定會議。對科技部十一五支撐計劃項目“傳感器測試關鍵共性技術研究”、科技部科研院所技術開發研究專項資金項目“光密度連續變化濾光器件”、“SOI壓力傳感器制造工藝研究”進行了科技成果鑒定。專家組認真審閱了資料，聽取了項目組的詳細匯報，考察了研制現場及實物，經過質詢和評議一致認為：

     “傳感器測試關鍵共性技術研究”項目突破了高性能傳感器“試驗裝置高效高壓多波形控制”、“批量檢測系統弱信號檢測”、“可靠性強化試驗”等關鍵技術，在硅電容傳感器批量測試系統的“夾具設計”和“補償方法”、傳感器高效高壓試驗裝置的“復合波形控制”等方面具有創新性。成果主要性能指標和關鍵技術達到國際先進水平，對推動行業技術進步，增強產品市場競爭力，具有重要的支撐作用。

      “光密度連續變化濾光器件”項目開展了中性漸變薄膜的設計與制造工藝研究，研制出線性度和中性度良好的光密度連續變化濾光器件，線性度、中性度均達到±5%。解決了光密度線性漸變薄膜設計、中性薄膜鍍制、掩膜機構設計及掩膜機構運動控制等關鍵技術難題，在線性迭代擬合調速和分段調速等方面具有創新性。研制開發的濾光器件，填補了國內空白，并已實現批量生產，主要性能指標達到國際先進水平。

      “SOI壓力傳感器制造工藝研究”項目開展了SOI壓力傳感器制造工藝的研究，建起具有自主技術和知識產權支撐的高溫SOI壓力傳感器制造技術平臺，實現耐高溫SOI壓力傳感器批產工藝的穩定性。采用表面摻雜濃度控制方法解決了低漂移技術難題，使敏感器件的穩定性達到0.005%F.S./8h；采用多層薄膜低應力匹配技術，實現敏感芯片重復穩定生產；采用Cr?Ni?Au復合耐高溫電極制備技術，實現了敏感芯片在300℃下穩定工作。項目成果填補了國內空白，主要性能指標達到國際先進水平。鑒定委員會一致同意三個項目通過成果鑒定。

      專家組對沈陽儀表科學研究院項目組織實施管理給予了較高評價，對項目完成的質量給予了充分地肯定，并建議在現有基礎上不斷地發揮自身優勢，進一步推廣應用并擴展應用領域。