拓普康將于2005年12月上市一款晶圓表面檢查裝置“WM-7000”，該產品能夠以更高的靈敏度在電路圖案形成前檢測出晶圓上異物。檢測靈敏度方面，對塊狀（Bulk）硅晶圓為30nm，對SOI（絕緣體硅,Silicon On Insulator）晶圓為40nm。與老機型“WM-5000”相比，對塊狀硅晶圓和SOI晶圓的檢測靈敏度分別提高了25%和33%，均達到業界最高水平，處理量（Throughput）也比老機型提高了50%。 首次同時配備深紫外激光器和紫色激光器 此次的裝置之所以可提高檢測靈敏度，得益于將其中一個光源（此前采用2個紫色激光器）改換為波長更短的深紫外激光器。將深紫外激光器作為晶圓表面檢查裝置的光源采用在業界尚屬首次。包括光學鏡頭的鍍膜方法等，通過對光學系統，使得利用深紫外激光器檢查晶圓表面成為可能。紫色激光器也改換了新開發的高功率產品。 通過深紫外激光器也提高了產品的處理量。晶圓表面的硅膜難以吸收短波長的光，與使用長波長光相比，可加強異物散射返回的信號強度。因此，可提高光線在晶圓表面的掃描速度。 利用兩種波長不同的光提高檢測靈敏度 以此次即將上市的“WM-7000”為代表，拓普康晶圓表面檢查裝置高檔機型的特點在于使用兩種波長的光。向類似SOI的多層膜晶圓中入射光時，晶圓表面和下部層壓界面反射的光發生干擾。只有一種波長的光時，由于相互干擾有時就會導致光線太弱，從而得不到足夠的信號強度，而使用兩種波長的光時，當一種光變弱的情況下另一種光就會因干擾而變強，這樣通過選擇波長即可確保信號強度。因此，2波長方式與單波長方式相比，可實現更高的檢測靈敏度。