對摩爾定律的擔憂從上世紀90年代就開始了，連英特爾公司也感到了壓力。該公司制造技術部副總裁兼制造技術工程部總經理Jai Hakhu在日前舉行的3i iSight Semiconductor Event(由風險投資公司3i公司和無晶圓廠半導體協會共同發起的會議)上警告，“如果半導體設備供應商不能設計出創新的和可承受的解決方案，摩爾定律將會受到阻礙。” 　　要讓芯片中的晶體管數量每隔18個月翻一番，就必須實現在一個硅晶圓上加載更多更小的晶體管和更精細的微結構。芯片行業的風向標英特爾公司的“2009年32納米、2011年22納米”的規劃向我們表明了這種趨勢，但技術人員都深知，他們必須把希望寄托在一些切實可行的技術上。英特爾在8月3日公布的兩項成果讓人們看到了一些希望。 　　這兩項被英特爾稱為“里程碑式的突破”的成果均在EUV(遠紫外線，或者極紫外線)光刻技術領域，該公司安裝了全球第一套商用EUV光刻工具，并建立了一條EUV掩膜試生產線。簡單來說，EUV光刻技術就是用遠紫外線來實現芯片制造的光刻工藝。英特爾的工程師宣稱，他們已經運用該技術“朝著2009年實現32納米制程的方向邁出了重要的一步”。英特爾技術和制造事業部組件研發總監Ken David表示：“這將有助于我們繼續將摩爾定律的優勢在未來十年得到延續。” 　　光刻是芯片制造中最關鍵的制造工藝，它能將設計好的電路“刻”到硅晶體上，就好像用微型畫筆在硅晶體上繪制微細線條一樣。半導體工業的精髓也正在于此。IC(集成電路)設計把人們想要實現的功能轉化為一張張設計圖，微縮攝影則把這些設計圖制作成極細微的光刻掩膜。當硅晶片被依次鋪上絕緣層、光刻膠以及光刻掩膜之后，紫外線就能透過掩膜并按照人們的意愿在硅片上畫線(也被業內人士形象地稱作“印刷”)，最終通過一些化學處理在硅晶片上形成裸露的電路。 　　不得不承認，用光來充當畫筆是一個極好的主意，因為在發明這種方法的第一天，科學家就為今天的研究埋下了伏筆??可以尋找波長更短的光波來充當更細的“畫筆”，在芯片上“畫出”日趨縮小的電路。波長僅為13.5納米的遠紫外線正是研究者們手中的武器，要知道，當前普遍用于芯片制造的光刻波長是193納米！正如英特爾公司表示的，EUV光刻技術將使它能“印刷”尺寸小于30納米的電路。相比之下，今天在英特爾制造工廠能“印刷”的最小尺寸為50納米。 　　國際上的芯片巨頭和研究機構早就盯上了這項技術。早在1997年，英特爾、AMD及摩托羅拉就成立了名為EUV LLC的半導體企業聯盟，隨后，英飛凌、Micron及IBM也陸續加入，這個聯盟一直與美國的三個國家實驗室合作以推動EUV光刻技術的前進。在歐洲，蔡司、ASML和牛津公司正在共同進行研究；而在日本，尼康、佳能等光刻工具領域的龍頭供應商也已投入了更多的關注。 　　盡管各大巨頭已經為此技術投入了上億美元的研發費用，盡管摩爾定律的遠景讓人感到急不可耐，但要真正運用遠紫外線批量“作畫”的努力肯定是長期的。遠紫外線的短波長讓它倍受親睞，也讓研究者們感到了困惑?這種波長更短的紫外光大多會被用于聚焦的玻璃透鏡吸收，而無法順利地抵達晶圓表面并刻出圖案。研制捕獲這種光的裝置十分困難，再加上其它光學元件也需要針對這種光波做復雜的改變，直至2003年，全球第一款EUV光刻原型機才在美國問世。 　　英特爾表示，如今商用EUV光刻工具的采用表明“該技術已從研發階段進入試用階段”，英特爾對這項技術正式投產的時間預期是2009年。但它沒有透露實現這項技術的成本細節，而成本將是未來EUV光刻技術是否能真正推動摩爾定律延續的關鍵因素之一。正如Hakhu所說，“在全盛時期結果最重要，因為不會過多的考慮成本”，但“關鍵因素仍是半導體制造商可否承擔得起，我們需要的是能在制造階段承受得起的解決方案。”