三星8月25日表示，為擴大產能，計劃再興建一座12寸晶圓廠，采用65納米制程生產NAND型閃存等產品。 　　三星美國子公司Samsung Semiconductor Inc. 技術行銷副總Jon Kang指出：“我們將興建新的65納米生產線。”公司正積極研發70納米以下產品，包括一8GB閃存裝置。 　　三星一發言人表示，這座12寸廠蓋好也是好幾年以后的事，除此之外并未透露更多內容。Samsung目前在京畿道華城市有一座12寸廠，采用新的100納米制程生產新款DDR2芯片。這座工廠也生產2GB flash，但使用的是90納米制程。 　　Kang表示，2GB將公司今年主力產品，公司也正努力研發4GB和8GB的NAND flash。初期產品將使用70納米以下制程。首批產品是8GB NAND，樣品應可在年底發表，但要到2006年才會量產。 　　三星為維持市場領先地位積極擴張產能。Kang表示：“我們的目標是每年將產品容量提高1倍。” 　　據市場研究公司iSuppli的最新報告，三星雖然在全球flash市場坐穩首位，但第二季度flash銷售比第一季度減少4.6%，市占率由23.6%降至21.2%。