韓國三星電子公司最近開發成功大容量納米半導體??60納米8千兆位閃存。據稱這是目前世界上容量最大的納米半導體。 　　據韓國各大媒體報道，60納米8千兆位閃存用直徑相當于一根頭發絲兩千分之一的電路線制成，其成品外形類似16兆位半導體卡，規格僅有半個名片盒大小，但其儲存容量很大。一塊8千兆位閃存可存儲6．4萬張（版）報紙的文字信息，或存儲10多部ＤＶＤ電影，或40ＭＰ3歌曲。100塊8千兆位閃存即可將韓國最大的圖書館??漢城大學圖書館擁有的200萬冊藏書全部存儲進去。8千兆位閃存可用作手機、數碼相機、數碼攝像機的主存儲器。 　　閃存是一種新型的半導體芯片，其主要特點是在電器斷電時能保存數據不丟失。閃存是生產手機、數碼相機等必不可少的元件。納米技術的精度決定了閃存容量的大小，裝在半導體基板上的電路線直徑越小，閃存容量就越大。 　　三星公司1999年和2000年分別開發成功256兆位和512兆位閃存。2001年，三星公司首次采用納米技術開發成功100納米千兆位閃存。2002年和2003年，三星公司又先后推出90納米2千兆位和70納米4千兆位閃存。 　　三星公司此次同時推出80納米2千兆位動態隨機存儲器（ＤＲＡＭ），這種存儲器具有極大的信息存儲功能，一般用于超高速大容量服務器。正在研發的第四代手機即智能手機就將采用這種80納米2千兆位動態隨機存儲器。