863計劃新材料技術領域“新型GaAs基近紅外波段納米半導體光電材料研究”課題近日取得重大進展：研制成功工作波長1.58微米的鎵銦氮砷銻/鎵砷(GaInNAsSb/GaAs)激光器，并實現室溫連續激射，標志著我國砷化鎵基近紅外波段光電子材料與器件的研究已擁有完整的自主知識產權，研究水平處于世界領先地位。該課題由中國科學院半導體所承擔。 　　隨著互聯網等信息產業的飛速發展，高速、大容量光纖通訊網絡市場的需求逐年成倍增長。與商用磷化銦基材料和器件相比，基于砷化鎵的鎵銦氮砷銻/鎵砷(GaInNAsSb)材料體系具有成本更低、溫度特性好，性能更穩定，易實現單片光(電)子集成等優點，是制備光通訊、光互聯等多種用途新一代光電子器件的理想材料，是近年來歐、美、日等發達國家的研究重點，市場應用前景廣闊。 　　該課題組研究人員在分子束外延生長高質量1.3微米量子阱材料的基礎上，通過增加氮的并入量和采用鎵氮砷(GaNAs)壘層，將量子阱的發光波長拓展到了1.55微米，同時運用銻元素作為生長過程中的表面活性劑，優化退火條件，大大改善了晶體質量，使材料質量達到了制作激光器的要求。此次研制成功的激光器實現了1.58微米室溫連續激射，激光器閾值電流密度為2.6千安/平方厘米，輸出功率大于30毫瓦，這是世界上首次實現鎵氮砷(GaAs)基稀氮化合物半導體激光器1.5微米以上的室溫激射。它證明了鎵氮砷(GaAs)基器件在1.2--1.6微米波段的全面應用的可行性，為進一步實現在光通訊、光互聯中應用的實用化和產業化展示了光明的前景。