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美日聯手開發32納米集成電路 （2006-01-23）

發布時間：2007-12-04 作者： 來源：經濟參考報 瀏覽：1426
　　日本索尼、東芝和美國ＩＢＭ公司最近宣布將在半導體的微細加工方面加強合作，聯手共同開發32納米的下一代大規模集成電路，并計劃在2013年投放市場，與韓國三星電子和美國英特爾公司展開競爭。 　　集成電路和存儲器半導體的線路越細微，就越能使電器產品更加趨向小型化，并且還能夠提高產品的性能。目前，日本主流集成電路半導體線路為90納米，最尖端的為65納米。
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