在國家自然科學基金委、科技部、中科院的大力支持下，中科院化學所有機固體院重點實驗室劉云圻研究員和朱道本院士等，在基于碳納米管的場效應晶體管研究領域取得新進展， 基于碳納米管的電子器件是納米電子學的熱點研究課題之一，具有重要的科學意義和應用前景。場效應晶體管是利用改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，是微電子學中最重要的單元器件之一。 該研究把這種微電子學中的摻雜技術擴展到納米電子學中。首先制備了氮摻雜的多壁碳納米管，然后利用聚集離子束技術制備了基于單根碳納米管的場效應晶體管。氮摻雜的碳納米管顯示n-型半導體特性，電子遷移率高達895cm2/Vs。另外他們還詳細研究了碳納米管和鉑電極間的接觸特性。輸運實驗的溫度依賴性研究表明輸運過程由熱電子發射和通過0.2 eV肖特基接觸位壘的隧穿所控制。由于一般碳納米管均顯示p-型半導體特性，該研究的成功為進一步開展碳納米管器件化研究奠定了基礎。有關研究成果發表在 J. Am. Chem. Soc。