武漢郵電科學研究院、中科院半導體所、長飛光纖光纜有限公司、杭州富通集團有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、北京郵電大學等單位共同承擔的，在“密集波分復用系統用關鍵光電子器件”方面的863計劃課題，先后研發出了一批具有自主知識產權的核心技術，申請相關專利四十多項，取得了一系列重大進展和成果。 在國內首次研制出InP基2.5Gbit/s 速率的1.55μm波長單片OEIC光接收機和光發射機，標志著我國在相關外延層材料生長、器件設計制造方面已經向前邁進了一大步；成功開發出單片集成寬帶可調諧半導體激光器、10Gbit/s和40Gbit/s DFB與EA調制器單片集成光源、單片集成可調諧窄帶諧振腔增強型光探測器等一系列單片光子集成器件；全面掌握了大尺寸光纖預制棒制作工藝技術，研制了G.655 三個系列的通信光纖產品，建立了完整生產線并投入批量生產。 課題組還成功開發出具有完全自主知識產權、達到國際先進水平的40通道陣列波導光柵復用/解復用器芯片和平面光波導器件自動化耦合封裝系統，建成國內第一條完整的平面集成光波導器件工藝線，為相關器件進一步產業化打下堅實基礎；另外，分布式喇曼光纖放大器和色散補償光纖在國內實際干線工程中得到成功推廣和應用， S+C+L超寬帶光纖放大器的研制成功為打開S和L波段通信窗口提供了可能；與此同時， 10Gbit/s速率的直接調制多量子阱DFB激光器、PIN-TIA芯片和組件以及系列光電模塊也相繼研制成功，并已經開始批量生產和推廣應用。 該項目成果提高了中國在密集波分復用系統用關鍵光電子器件和新型通信光纖方面的國際地位，有力地支持了國家重大光纖通信系統和工程項目的研究和開發，對提升我國在相關高技術領域的國際競爭能力具有至關重要的意義。