美國加州大學研究人員9日表示，他們在與西盟公司合作為下一代極紫外光刻（EUVL）開發激光光源的研究中發現，利用二氧化碳激光器系統可以獲得極紫外光刻所需的極紫外光。他們相信，這項突破性發現有望幫助半導體工業尋找到在芯片上存儲更多信息的方法，從而迅速提高電子設備的性能。
 
　　目前，全球半導體公司均致力于極紫外光刻技術的開發，將其視為制造特征尺寸為32納米或更小微芯片的光刻工具。盡管近來科學家在該領域取得巨大進步，但在將極紫外光刻用于低成本大規模生產上仍存在挑戰。在當今半導體光刻過程中，光源從激光器中輸出后直接透過掩膜作用于晶圓（wafer）。而在極紫外光刻過程中，激光器產生的極紫外光先射向掩膜版，再作用于晶圓。這種間接方式效率更低，意味著可能需要輸出功率更大和更昂貴的激光器。
 
　　加州大學機械和航空航天工程科學家馬克?泰雷克領導的研究小組發現，讓極紫外光刻的光源???二氧化碳激光系統輸出長脈沖光，其工作性能不僅與短脈沖光的相當，而且能讓系統更有效、更簡單和更廉價。泰雷克說，二氧化碳激光器有兩個優點，一是造價低易操作，二是能方便快捷地從輸出激光轉為輸出極紫外光。他表示，長脈沖工作的有效性表明二氧化碳激光系統可以更廉價地制造和運行極紫外光刻設備。
 
　　泰雷克指出，極紫外光刻具有眾多潛在的應用，包括閃存卡的生產，未來閃存卡的存儲密度會越來越大。他說，如果能夠廉價產生存儲量達200G（千兆）的閃存卡，硬盤或許將從市場上淘汰出局。他還表示，該成果有可能為獲得先進光源開辟新的道路。