日本的一個研究小組日前宣布，他們利用分子聚集并自然排布的現象，用高分子材料制成了寬度僅10納米的超微結構，這種新技術有望大幅提高半導體的性能。

　　據日本媒體報道，日本京都大學和日立制作所的聯合研究小組對高分子膜覆蓋的基板進行特殊處理，制成了這種超微結構。如果在該結構表面覆蓋氧化物，就可能使這種結構具有半導體的性能。

　　據日本專家介紹，此前日本研究者利用半導體技術最小只能生產寬度為65納米的超微結構，如果上述新技術達到實用水平并用于半導體生產，就可以使按單位面積計算的半導體超微結構的密度達到原先的9倍，半導體的性能也會達到目前半導體產品的9倍。