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三星率先量產(chǎn)20納米級動態(tài)存儲器

發(fā)布時間:2011-09-28 作者: 來源: 瀏覽:289707

      三星電子于9月22日在韓國京畿道納米城華城園區(qū)舉行“16號半導(dǎo)體生產(chǎn)線開工儀式”,這意味著三星電子成為世界上第一家正式批量生產(chǎn)20納米級動態(tài)存儲器(D-RAM)和大容量NAND閃存的電子企業(yè),也標(biāo)志著三星電子在存儲用半導(dǎo)體領(lǐng)域繼續(xù)處于領(lǐng)跑地位。

      據(jù)悉,16號半導(dǎo)體生產(chǎn)線從2010年5月開工,到2011年5月凈化車間施工完成,6月進(jìn)入試運行階段,8月具備批量生產(chǎn)架構(gòu),本月將生產(chǎn)1萬張以上12英寸WiFi(無線保真)20納米級高速NAND閃存。目前,該生產(chǎn)線是世界上規(guī)模最大的NAND閃存批量生產(chǎn)線。

      截至今年年底,三星電子將擴大12英寸WiFi生產(chǎn)規(guī)模,明年還打算大批量生產(chǎn)10納米級別的大容量高速閃存,以滿足正在迅猛增長的NAND閃存需求。

      相比于在2010年7月推出的30納米級DDR3動態(tài)存儲器,20納米級DDR3動態(tài)存儲器能夠提升50%生產(chǎn)量,同時減少40%電耗,屬于真正意義上的綠色內(nèi)存產(chǎn)品。三星電子表示,他們已經(jīng)在世界上首次開始大批量生產(chǎn)20納米級2GB動態(tài)存儲器,并將在今年年底開發(fā)以20納米級4GB DDR3動態(tài)存儲器為基礎(chǔ)的大容量產(chǎn)品,從明年開始,將正式開發(fā)4GB、8GB、16GB以及32GB等多樣化產(chǎn)品。三星電子今后還將以企業(yè)服務(wù)器市場為出發(fā)點,繼續(xù)擴大包括通用計算機市場在內(nèi)的各種信息產(chǎn)業(yè)市場中綠色內(nèi)存市場的占有率。

      三星會長李健熙、策略解決方案(DS)事業(yè)綜合社長權(quán)五鉉、李在?等管理人員和包括日本索尼副社長中川裕在內(nèi)的世界信息產(chǎn)業(yè)相關(guān)人士等500余人出席了開工儀式。

      李健熙表示,雖然世界經(jīng)濟不穩(wěn)定,經(jīng)營條件的變化也很劇烈,但越是這樣的時候,越要增加投資、增加人力資源。只有通過自身的努力和調(diào)整,才能抓住發(fā)展機遇,促進(jìn)企業(yè)成長,同時幫助韓國經(jīng)濟增長。

      微軟首席執(zhí)行官鮑爾默、臺灣宏達(dá)電(HTC)董事長王雪紅、戴爾計算機公司副總裁杰夫?克拉克、聯(lián)想集團首席執(zhí)行官楊元慶等通過視頻向三星電子致意。電子業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者們對三星電子致力于NAND閃存生產(chǎn)并在世界上率先批量生產(chǎn)20納米級動態(tài)存儲器表示祝賀。

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