最近，IBM研究人員在瑞士蘇黎世首次展示了多位相變存儲器技術。
    
      相變存儲器利用各種合金材料在結晶態和非結晶態下電阻由低至高的變化特性，通過不同的電壓和電流脈沖觸發，實現數據存儲。IBM蘇黎世研究中心的科學家采用先進的調制編碼技術，成功抑制了相變存儲器短期電阻漂移問題，這一問題會導致存儲阻力和讀取錯誤。IBM多位相變存儲技術滿足每單元存儲多位數據的高存儲容量需求，斷電時存儲數據不丟失，寫入和檢索數據速度比目前閃存存儲器快100倍，并可持續使用至少1千萬次。
  
      IBM多位相變存儲技術的重大突破將為手機、云存儲以及企業大型數據存儲提供價廉、快速、耐久的存儲設備。權威人士稱，多位相變存儲技術由于具備存儲速度快、耐久性、非易失性和高密度存儲特征，在未來5年內將引導IT企業和存儲系統的重大革新，尤其能夠滿足云存儲和數據處理需求。