日本理化研究所研究人員在28日的美國《物理評論通訊》雜志網絡版上發表論文說，他們發現一種人工合成的鎘鋨氧化物在特定溫度下由導體變為非磁性半導體的原因。這種特性使其能夠成為不怕消磁的存儲新材料。

　　根據理化研究所日前發表的新聞公報，多數物質在不同溫度下其導電性能并不會發生變化，而有些種類的金屬氧化物在溫度變化時導電性能會發生改變。一種人工合成的鎘鋨氧化物在室溫下擁有良好的導電性能，而被冷卻到零下52攝氏度時，它會從導體轉變成非磁性半導體。

　　來自理化研究所、東京大學、神戶大學等機構的研究人員嘗試利用大型同步輻射加速器SPring－8發出的X射線，觀察這種鎘鋨氧化物中鋨原子電子自旋的排列，發現這種氧化物轉變為半導體的同時，電子自旋排列出現了兩種方向。這種特殊的排列使氧化物整體的磁性消失，而兩種自旋方向則可分別代表數據存儲所必需的0和1兩種狀態。

　　公報指出，迄今的磁存儲介質一旦靠近強磁場，存儲的數據有被消除的危險。而這種鎘鋨氧化物由于沒有磁性，因而不怕消磁，有望成為新的存儲材料。不過，離實際應用還要解決諸多課題，比如如何使這種物質在室溫下就能出現電子自旋排列改變，鎘和鋨的毒性處理等等。