繼2004年7月率先在國內獲得光泵浦GaN基激光器受激發射之后，日前，北京市2003年度科技計劃項目??“氮化鎵基藍紫激光器的研制”再次獲得重大突破：首次實現了波長為405nm左右的電注入脊型波導GaN基激光二極管的受激發射，成為目前我國大陸實現的波長最短的半導體激光器，為我國在實現GaN基激光器零的突破方面做出了重要貢獻。 　　自承擔課題任務起，北京大學針對寬禁帶半導體氮化鎵基激光器的難點，進行了氮化鎵基激光器外延和器件結構的計算和優化設計、MOCVD外延生長和表征、器件微加工技術和諧振腔結構等方面的探索和研究，在GaN基材料系量子阱和超晶格與波導結構MOCVD生長、窄波導激光二極管器件制備等關鍵性科學和技術問題方面取得一系列進展。特別是在GaN基結構的陰極熒光(CL)分析，氮化鎵基激光器腔鏡面研究和應用(包括采用激光剝離技術獲得高質量的氮化鎵基解理腔鏡面以及基于光子晶體的諧振腔鏡面)等有特色的研究方面取得重要進展和突破。此次實現氮化鎵基激光二極管電注入激射時所用波段的激光正是用于下一代“藍光DVD”光盤系統的光源。目前，系統相關測試工作正在抓緊進行之中。 　　GaN 基激光器是波長最短的半導體激光器，波長為405nm范圍的藍-紫光GaN基激光器是發展下一代大容量高密度光存儲信息技術的關鍵性器件。它在國防建設、生物、環境、照明、顯示、打印和醫療等領域，具有廣闊的應用前景和巨大的市場需求。