近日，復旦大學對外發(fā)布，復旦大學信息科學與工程學院微電子學系教授江安全在高密度鐵電阻變存儲器的研究中取得重大進展。

      江安全帶領的研究小組與中科院物理所、首爾大學、劍橋大學等教授合作，基于BiFeO3薄膜，證明了一種鐵電自發(fā)極化方向調制的p-n結電流，可運用于高密度信息的非揮發(fā)存儲。這也就意味著，在存儲器領域中，讀寫速度更快、可靠性更強、體積更小的存儲器有望誕生，其原理已經取得實驗證實。

      據江安全介紹，正是由于鐵電變阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它單位體積內的存儲容量比現有的電容存儲器等有了巨大的提升空間。

      在未來，像現有U盤大小的存儲器可以有幾十G的存儲量，將不再是夢想。除了信息高密度存儲和快速擦寫特性，鐵電存儲器還具備了電壓低、成本低、損耗低、體積小的優(yōu)點，具有極大的產業(yè)化潛力，尤其是在電子標簽、移動電話、公交卡、隨身聽、游戲卡和數碼相機等耗電少的電子產品中將率先得到應用和發(fā)展。比如，在電子標簽領域，也就是我們所熟悉的“條形碼”，在提高每個幾分錢成本的前提下，使用鐵電存儲器可以大大節(jié)省結賬的時間，原本需要逐一掃描的條形碼可以成批同時掃描。